令和7年度 核融合科学研究所技術研究会

電子線レジストとしてのネガ型フォトレジストSU-8の薄膜化によるラインパターンの微細化

P-2-5

Mar 5, 2026, 4:10 PM

35m

５階 (大ホール北)

装置技術 ポスター発表

Speaker

藤本 美穂 (東京科学大学)

Description

エポキシ樹脂ベースのネガ型フォトレジストSU-8は電子線レジストとしても利用可能だが、近接効果や露光後ベーク（PEB）によるレジスト中で発生する酸の拡散により高密度のパターン形成が難しい。レジストの薄膜化やPEB温度と高密度化の関係が知られていることから、今回はSU-8の膜厚を160～220 nmに薄膜化することにより約300 nmのラインパターンを作製したので報告する。